RAM Timing: Entspricht die CAS-Latenz im READ-Befehl dem WRITE-Befehl?

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aques

Soweit ich weiß und laut Wikipedia über CAS-Latenz:

CL ist die Verzögerungszeit zwischen dem Moment, in dem ein Speichercontroller dem Speichermodul mitteilt, auf eine bestimmte Speicherspalte in einem RAM-Modul zuzugreifen, und dem Moment, ab dem die Daten von der angegebenen Array-Position an den Ausgangspins des Moduls verfügbar sind .

Bei der obigen Definition handelt es sich also um einen Lesebefehl, der vom Speichercontroller und dem RAM-Modul gesendet wird, und gibt die gespeicherten Daten auf seine Ausgangsdaten zurück. Aber was ist mit dem Schreibbefehl ? ist die CAS-Latenz gleich? oder Gedächtniszeit beim Schreiben ist völlig anders als Lesen?

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